IM4000
| Proveedores | Hitachi |
| Sectores | Alimentación-Agua y MedioAmbiente, Automoción-Aeronautica, Energía-Electrónica, Farmaceutico-Cosmetica-Biotecnológia, I+D-Servicios Laboratorio-Docencia, Químico – Metales y Minerales |
| Parámetros de Medida | Preparación Muestras SEM y TEM |
| Tipos de Muestra | Sólidos |
Alta tasa de fresado
La velocidad de fresado de la sección transversal de la IM4000II es de 500 µm/h o superior. Es efectivo para materiales duros que convencionalmente requieren un procesamiento prolongado.
Cuando cambia el ángulo de oscilación durante el fresado de la sección transversal, cambia el ancho y la profundidad de procesamiento correspondientes. Las condiciones de procesamiento son las mismas que se muestran arriba, excepto que el ángulo de oscilación se ha reducido de ±30˚ a ±15˚. Se demuestra que la profundidad de procesamiento es más profunda que los resultados anteriores y, por lo tanto, muy eficaz para la preparación rápida de la sección transversal de las muestras con una estructura objetivo lejos de la superficie superior.
Fresado híbrido
Fresado de sección transversal
Se puede lograr una superficie prístina pulverizando (fresando) las partes sobresalientes de la muestra que se extienden más allá del borde de la máscara. Al irradiar el haz de iones paralelo a la superficie procesada de la muestra, es posible un fresado plano y suave incluso con materiales complejos de diferentes composiciones.
Usos principales
- Preparar una muestra de sección transversal en una región de interés (ROI) localizada
- Preparar una muestra de sección transversal que sea difícil de pulir con otros métodos (materiales compuestos, interfaz multicapa, papeles/películas, etc.)
Fresado plano
En el fresado plano, se puede procesar un área más amplia que en el fresado de sección transversal mediante la excentricidad del haz de iones y los puntos centrales giratorios de la muestra. También es posible enfatizar o reducir las irregularidades cambiando el ángulo de irradiación del haz de iones para revelar la orientación del cristal y/o sutiles diferencias de composición.
Usos principales
- Elimina artefactos mecánicos del proceso de pulido (diámetro máximo de 50 mm x espesor de 25 mm)
- Discriminar capas de la sección transversal para película multicapa (destacando irregularidades)
- Preprocesar grandes áreas para EBSD (reducción de irregularidades)
General
| Gas usado | Ar (argón) gas |
| Sistema de control de flujo de gas Ar | Controlador de caudal másico |
| Tensión de aceleración | 0,0 a 6,0 kV |
| Tamaño | 616 (ancho) × 736 (profundidad) × 312 (alto) mm |
| Masa | Unidad principal: 53 kg＋Bomba rotativa: 30 kg |
Fresado de sección transversal
| Tasa máxima de fresado (Material: Si) | 500 μm/h o más |
| Tamaño máximo de muestra | 20 (ancho) × 12 (profundidad) × 7 (alto) mm |
| Rango de movimiento de muestras | X±7 mm, Y 0 a +3 mm |
| Irradiación intermitente de haz de iones | Rango de ajuste ON/OFF 1 seg a 59 min 59 seg |
| Ángulo de giro | ±15°, ±30°, ±40° |
| Fresado de sección transversal de área amplia | – |
Fresado plano
| Área máxima de fresado | φ32 mm |
| Tamaño máximo de muestra | Φ50×25 (H) milímetro |
| Rango de movimiento de muestras | ×0 a +5 mm |
| Irradiación intermitente de haz de iones | Rango de ajuste ON/OFF 1 seg a 59 min 59 seg |
| Velocidad de rotación | 1 rpm, 25 rpm |
| Ángulo de giro | ±60°, ±90° |
| Ángulo de irradiación del haz de iones | 0 a 90° |
Opcional
| Control de temperatura de refrigeración | Enfriamiento indirecto por LN2, rango de temperatura establecida: 0 a -100 ℃ |
| Máscara de tolerancia de haz más alta | Tolerancia de haz 2× en comparación con la máscara estándar (sin cobalto) |
| Unidad de microscopio estereoscópico para el seguimiento del proceso | 15× a 100×, tipo binocular, tipo trinocular (corresponde a cámara CCD) |
