Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile)

Fabricante: Ted Pella

Estado:Bajo pedido

Soportes para muestras en silicio precortado en chips, ideales para microscopía electrónica de barrido (SEM) por su baja señal de fondo, superficie lisa y excelente compatibilidad con células y nanopartículas.

SKU: AGG3377-1-1 Categorías: Consumibles SEM, Pin Stubs y soporte de muestras Brand: Ted Pella

Precio

SKU	Diámetro wafer	Medidas chip	Contenido chips	Existencias	Cantidad
16005	≈10 cm - 4 inch	20 x 30mm	6	Estado:Bajo pedido	Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile) quantity
16004	≈10 cm - 4 inch	20 x 20mm	10	Estado:Bajo pedido	Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile) quantity
16006	≈10 cm - 4 inch	10 x 10mm	55	Estado:Bajo pedido	Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile) quantity
16008	≈10 cm - 4 inch	5 x 7mm	270	Estado:1 disponibles	Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile) quantity
16007	≈10 cm - 4 inch	5 x 7mm	187	Estado:Bajo pedido	Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile) quantity
16003	≈10 cm - 4 inch	3 x 3mm	600	Estado:Bajo pedido	Chips de silicio para soporte de muestras en SEM (low profile) quantity

Descripción

Los chips de silicio son soportes para colocar muestra optimizados para microscopía electrónica de barrido (SEM), especialmente útiles en estudios de alta resolución con electrones secundarios y retrodispersados. Su superficie pulida, comparable al vidrio, permite una excelente visualización de partículas pequeñas y estructuras celulares.

Son opacos, con baja resistividad eléctrica, y se entregan limpios y listos para su uso. Disponibles en múltiples formatos precortados a partir de obleas de 4″ (101,6 mm), permiten una manipulación sencilla en laboratorio. Su rugosidad mínima (2 nm) y la ausencia de recubrimiento de SiO₂ los hacen ideales para aplicaciones analíticas y de imagen avanzada.

Especificaciones técnicas

Material: Silicio tipo P (dopado con Boro)
Orientación cristalina: <100>
Resistividad: 1–30 Ohm·cm
Recubrimiento: Sin capa superior de SiO₂
Superficie: Pulida por una cara
Rugosidad: 2 nm
Espesor de la oblea: 460–530 µm (18–21 mil)
Limpieza: Enjuague con agua desionizada antes del corte
Formatos disponibles:
- 3 × 3 mm (≈600 chips/wafer)
- 5 × 5 mm (≈270 chips/wafer)
- 5 × 7 mm (≈187 chips/wafer)
- 10 × 10 mm (≈55 chips/wafer)
- 20 × 20 mm (≈10 chips/wafer)
- 20 × 30 mm (≈6 chips/wafer)
Aplicaciones: SEM, cultivo celular, análisis de partículas
Referencias científicas:
- Peters, K.R. (1985), Scanning Electron Microscopy IV:159
- Apkarian, R.P. (1986), Proc. 44th Ann. Meeting of the EMSA