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Ø100 mm obleas de silicio con óxido térmico SiO₂ – 300 nm
| Miniatura | SKU | Contenido | Existencias | Precio | Cantidad | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | WAFER-SILI-0476W-25 | 25 obleas | Bajo pedido | |||
| WAFER-SILI-0476W-5 | 5 obleas | Bajo pedido |
Descripción
Silicio monocristalino recubierto con una capa uniforme de óxido térmico de silicio (SiO₂) de 300 nm, obtenida mediante oxidación controlada en atmósfera húmeda o seca. Este tipo de sustrato se utiliza ampliamente en laboratorios de investigación para procesos de deposición de películas delgadas, grabado químico, litografía y caracterización de interfaces.
El óxido térmico actúa como capa dieléctrica, barrera de difusión o superficie funcional para técnicas de microscopía electrónica, espectroscopía y análisis de superficies. Gracias a su alta calidad superficial y control de espesor, es compatible con procesos de microfabricación, MEMS y dispositivos optoelectrónicos.
Las obleas se presentan en formato individual, packs de 5 ó 25, con superficie pulida y control dimensional preciso.
Especificaciones técnicas
- Material base: Silicio monocristalino
- Recubrimiento: Óxido térmico de silicio (SiO₂)
- Espesor del óxido: 300 nm
- Diámetro: Habitualmente 2″, 3″ o 4″ (consultar variantes)
- Superficie: Pulida (una cara)
- Aplicaciones: Microfabricación, deposición, litografía, análisis superficial
- Compatibilidad: SEM, AFM, espectroscopía, procesos químicos
