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Wafers de silicio de alta pureza – formatos compatibles cleanroom
Wafers de silicio de alta pureza disponibles en varios diámetros, ideales para investigación en películas delgadas, semiconductores y aplicaciones avanzadas. Disponibles en versiones estándar y ultra-planas, con o sin recubrimientos.
| Miniatura | SKU | Diámetro | Orientación | Recubrimiento | Contenido | Dopante | Certificación | Existencias | Precio | Cantidad | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 21605 | 3 inch | 100 | No | Oblea + porta oblea | Boro | 6 disponibles | ||||
 | 16013 | 3 inch | 111 | No | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | ||||
 | 21630-55 | 6 inch | 100 | 200nm SiNx | 25 dados 5x5 mm en caja Gel-Pak box | Boro | Bajo pedido | ||||
 | 21630-6 | 6 inch | 100 | 200nm SiNx | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | ||||
 | 21610-55 | 6 inch | 100 | 200nm SiO2 | 25 dados 5x5 mm en caja Gel-Pak box | Boro | Bajo pedido | ||||
 | 21620-6 | 6 inch | 100 | 200nm SiO2 | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | ||||
| 21610-6 | 6 inch | 100 | 200nm SiO2 | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | ||||
| 21610-4 | 4 inch | 100 | 200nm SiO2 | Oblea + porta oblea | Boro | 4 disponibles |
Descripción
Estos wafers u obleas de silicio están diseñados para satisfacer las exigencias de laboratorios de investigación, universidades y fabricantes de semiconductores. Disponibles en diámetros de 1″, 2″, 3″, 4″ y 6″ (25,4 a 150 mm), pueden utilizarse como sustratos para deposición de películas delgadas o dividirse en piezas más pequeñas mediante técnicas de corte y fractura.
Los wafers estándar están disponibles en tipo P (dopado con Boro) y tipo N (dopado con Fósforo), con orientación cristalina <100> o <111>. No presentan recubrimiento de óxido y tienen una cara pulida y otra grabada. Se entregan en portadores tipo “coin-style” para su protección.
También disponemos de wafers ultra-planos de 4″ y 6″, ideales para estudios de substratos exigentes, AFM, SEM y aplicaciones de microfabricación. Están disponibles con recubrimientos de óxido térmico (SiO₂) o nitruro de silicio (SiNx), y en formatos enteros o troquelados (5×5 mm, 5×7 mm, 10×10 mm) mediante dicing limpio en condiciones de sala blanca clase 10.
Especificaciones técnicas
Wafers estándar (1″ a 6″)
- Diámetros: 1″, 2″, 3″, 4″, 6″ (25,4 a 150 mm)
- Orientación: <100> (todos) y <111> (solo 3″ tipo P)
- Tipo P: dopado con Boro (1 flat primario)
- Tipo N: dopado con Fósforo (1 flat primario)
- Resistividad: 1–50 Ohm-cm
- Sin recubrimiento de SiO₂
- Rugosidad: 2 nm
- TTV: ≤5 µm
- Bow/Warp: ≤30 µm
- Superficie frontal: pulida / posterior: grabada
- Espesor:
- Ø1″: 275–325 µm
- Ø2″: 255–305 µm
- Ø3″: 330–420 µm
- Ø4″: 505–545 µm
- Ø6″: 585–695 µm
Wafers ultra-planos 4″ y 6″
- Material: Silicio CZ virgen, grado Prime
- Orientación: <100>
- Tipo/Dopante: P/Boro
- Resistividad: 10–20 Ohm-cm
- Espesor:
- 4″: 525 ± 20 µm
- 6″: 675 ± 20 µm
- TTV: ≤2–4 µm
- Warp: ≤30 µm | Bow: ≤20 µm
- Flat: 1 o 2 según estándar SEMI
- Partículas: ≤20–30 ≥0.2–0.3 µm
- Superficie frontal: pulida / posterior: grabada
- Site Flatness: ≤1–2 µm
- Rugosidad: 2–3 Å
Recubrimientos disponibles
- Óxido térmico (SiO₂): 200 nm ± 5%
- Nitruro de silicio (SiNx): 200 nm ± 100 Å, ultra bajo estrés
- Formatos troquelados: dados 5×5 mm, 5×7 mm, 10×10 mm (en cajas Gel-Pak®)
- Dicing limpio sin residuos, en sala blanca clase 10.
Preguntas Frecuentes (FAQ) Wafers de silicio de alta pureza – formatos compatibles cleanroom:
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¿Qué significa que sea una oblea “tipo P” o “tipo N”?
Se refiere al dopaje del silicio para modificar su conductividad eléctrica. Las obleas Tipo P (comúnmente dopadas con Boro) tienen un exceso de “huecos” o cargas positivas, mientras que las Tipo N (dopadas con Fósforo o Antimonio) tienen un exceso de electrones. Para su uso como sustrato pasivo en microscopía, ambas funcionan bien, pero para fabricar microchips o sensores, la elección es crítica para el diseño del circuito.
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¿Cuál es el nivel de rugosidad de una oblea “ultra-plana”?
Estas obleas se pulen mediante procesos químico-mecánicos (CMP) hasta alcanzar una rugosidad media inferior a 5 Å (0.5 nm). Esta planicidad es esencial en Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), ya que permite asegurar que cualquier relieve observado pertenezca a la muestra depositada y no a las irregularidades del sustrato.
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¿Por qué las obleas tienen un borde plano (flat) en un lado?
El corte plano en la circunferencia no es un defecto; se denomina “Primary Flat”. Sirve para indicar la orientación cristalográfica de la oblea (normalmente <100> o <111>) y el tipo de dopaje. Esto permite a los investigadores alinear la oblea correctamente en equipos de fotolitografía o conocer las direcciones preferenciales de rotura al cortarla.
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¿Cómo se deben cortar estas obleas en trozos más pequeños?
Aunque son de 4″, muchos usuarios necesitan fragmentos de 1×1 cm. El silicio es un material monocristalino muy quebradizo. Se recomienda usar un lápiz con punta de diamante para realizar una pequeña incisión en el borde y luego aplicar una ligera presión; la oblea se fracturará de forma limpia siguiendo sus planos cristalinos.
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¿Es necesario limpiar la oblea antes de usarla?
Aunque vienen empaquetadas en ambiente de sala blanca, durante el transporte o apertura pueden atraer partículas por carga estática. Para aplicaciones críticas, se recomienda una limpieza con chorro de nitrógeno seco o un baño de limpieza química (como el proceso RCA o plasma de oxígeno) para eliminar cualquier capa de óxido nativo o contaminante orgánico residual.
