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SVM Ø100 wafers silicio con óxido térmico SiO₂ – 300 nm (Pack x25 obleas)
Sustratos de silicio monocristalino de alta pureza tipo P (Boro), con orientación <100> y recubrimiento de óxido térmico. Diseñados para procesos de microfabricación, fotolitografía y aplicaciones de semiconductores en salas blancas ISO 3. Pack de 25 obleas. La imagen es una recreación generada digitalmente. El color y brillo de los wafers reales podrían diferir ligeramente.
